HBM 售價高昂、獲利高，造就廣大資本支出投資。TrendForce 資深研究副總吳雅婷預估，截至 2024 年底，DRAM 產業規劃生產 HBM TSV 產能約 250K/m，占總 DRAM 產能約 1,800K/m 的 14%，供給位元年成長約 260%。2023 年 HBM 產值占比之於 DRAM 整體產業約 8.4%，至今年底擴大至 20.1%。
吳雅婷表示，以HBM及DDR5生產差異看，Die Size大致較DDR5同製程與同容量（如24Gb比24Gb）尺寸大35%~45%；良率（含TSV封裝良率）比DDR5低約20%~30%；生產週期（含TSV）較DDR5多一個半至兩個月不等。
由於HBM生產週期較DDR5更長，至投片到產出與封裝完成需兩季以上，急欲取得充足供貨的買家需要更早鎖定訂單量，大部分2024年度訂單都遞交供應商，除非有驗證無法通過，否則目前看這些訂單量均無法取消（non-cancellable）。
以HBM產能看，三星、SK海力士（SK hynix）至年底HBM產能規劃最積極，三星HBM總產能至年底將達約130K（含TSV）；SK海力士約120K，但產能會依驗證進度與客戶訂單持續變化。以現階段主流產品HBM3產品市占率看，SK海力士的HBM3市場比重逾九成，三星隨著後續數季AMD MI300逐季放量持續緊追。
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（首圖來源：SK 海力士）
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