美國政府 15 日宣佈，將向三星電子提供最多 64 億美元的資金補貼。至於三星電子方面，也宣布將在美國德州投資超過 400 億美元，建設包括 2 奈米製程晶圓廠在內的一系列半導體製造設施。
與台積電一樣，三星電子此次也與美國政府簽訂的是不具約束力的初步備忘錄。在備忘錄中，三星電子預計將在德州的兩個地點建立一個半導體生態群，其中包括在泰勒市興建兩座先進邏輯晶片代工廠，分別採用 4 奈米和 2 奈米先進製程技術。另外，還將在泰勒市設立一座先進制程研發基地。
除了先進製程之外，三星電子也宣布將在泰勒市設立一座先進封裝工廠，可進行 3D HBM 記憶體的生產和 2.5D 晶片的封裝。最後’，還將在德州奧斯汀擴建現有半導體設施，擴大 FD-SOI 製程技術產能。
根據三星電子表示，這次投資將在未來 5 年為美國創造超過 17,000 個建築產業工作職缺，和 4,500 多個高薪製造業工作機會。而作為配套，美國政府還將藉由 《晶片法案》 的規定來提供 4,000 萬美元的當地勞動力培訓發展資金。
三星電子 DS 事業部總裁 Kye Hyun Kyung 表示，三星不僅僅是擴大生產設施，另外正在加強本地半導體生態系統，並將美國定位為全球半導體製造目的地。為了滿足美國客戶預期的需求增加，對於人工智慧晶片等未來產品，三星電子的晶圓廠將配備尖端製程技術，並幫助提高美國半導體供應鏈的安全性。
(首圖來源：官網)
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