2024全年HBM供給位元年增高達260%,產能占DRAM產業14%

新聞媒體 2024-03-19
2024 全年 HBM 供給位元年增高達 260%,產能占 DRAM 產業 14%

HBM 售價高昂、獲利高,造就廣大資本支出投資。TrendForce 資深研究副總吳雅婷預估,截至 2024 年底,DRAM 產業規劃生產 HBM TSV 產能約 250K/m,占總 DRAM 產能約 1,800K/m 的 14%,供給位元年成長約 260%。2023 年 HBM 產值占比之於 DRAM 整體產業約 8.4%,至今年底擴大至 20.1%。

吳雅婷表示,以HBM及DDR5生產差異看,Die Size大致較DDR5同製程與同容量(如24Gb比24Gb)尺寸大35%~45%;良率(含TSV封裝良率)比DDR5低約20%~30%;生產週期(含TSV)較DDR5多一個半至兩個月不等。

由於HBM生產週期較DDR5更長,至投片到產出與封裝完成需兩季以上,急欲取得充足供貨的買家需要更早鎖定訂單量,大部分2024年度訂單都遞交供應商,除非有驗證無法通過,否則目前看這些訂單量均無法取消(non-cancellable)。

以HBM產能看,三星、SK海力士(SK hynix)至年底HBM產能規劃最積極,三星HBM總產能至年底將達約130K(含TSV);SK海力士約120K,但產能會依驗證進度與客戶訂單持續變化。以現階段主流產品HBM3產品市占率看,SK海力士的HBM3市場比重逾九成,三星隨著後續數季AMD MI300逐季放量持續緊追。

TrendForce將於3月29日(五)於集思竹科會議中心舉行「AI應用拓新局,半導體技術挑戰」研討會,活動將邀請TrendForce分析師喬安、英特爾、Ansys、辛耘企業、聯華電子、工研院等相關單位。面對AI應用與永續轉型的強勁產業需求,強化半導體相關的先進製程技術、創新材料應用等不同領域合作與交流,TrendForce誠摯邀請您參與(主辦單位將保有議題及議程更動權利,最新資訊將以活動網站為主)。

(首圖來源:SK 海力士

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