中國新凱來號稱「先進半導體全村希望」，仍不見實物且命名大吃台灣豆腐

日前有外媒報導，中國政府為克服外國廠商的限制，正在透過與華為的合作下，進一步開發先進製程半導體製造設備。而這家被中國視為先進半導體製程救星的公司深圳新凱來 ( SiCarrier) 目前正在中國上海的 SEMICON China 2025 半導體會展中參與展出，現場雖然沒有展出實機，僅有在各個展示螢幕中述說著其發展路線與技術，以及號稱是新開發產品的模型，但依舊是整格展場最吸引人潮的攤位。

根據先前外媒報導指出，在華為的幫助下，新凱來專注雷射誘導放電等離子體（LDP）的客製化 EUV 原型設備，預定第三季試產。而且，新凱來不只開發一款機器而是多款，目標是取代包括 ASML內的國際設備廠商，提升自主性，幫助中國走出困境。

而因為新凱來獲深圳市政府支持營運。知情人士透露，新凱來專注晶片製造，瞄準 ASML、應用材料、Lam Research 等公司。其他涉及曝光、化學氣相沉積、測量、物理氣相沉積、蝕刻和原子層沉積硬體都在研發中。

根據中國媒體的報導，這次在新凱來的會展攤位上，五款以中國名山命名的產品成為核心看點。其中包括了外延沉積（EPI）峨眉山、蝕刻（ETCH）武夷山、化學氣相沉積（CVD）長白山、物理氣相沉積（PVD）普陀山、原子層沉積（ALD）阿里山等。以 EPI 峨眉山為例，外延層技術是先進制程和第三代半導體的關鍵製成，直接影響晶片的性能與可靠性。而在國際市場上，EPI 設備長期被應用材料（AMAT）、東京電子（TEL）等巨頭壟斷。因此，新凱來的發展明顯的就是為了突破國外公司的限制而來。

從公開資料顯示，深圳新凱來工業機器成立於 2022 年，註冊資本超過人民幣 10 億元。其母公司新凱來技術有限公司則成立於 2021 年，註冊資本額也超過人民幣 15 億元，由深圳市重大產業投資集團全資控股，在該集團隸屬深圳國資委的情況下，整體來說，這是一家典型由國家撐腰的企業。

2025 年 1 月，新凱來工業機器申請了一項名為反射結構、熱輻射單元及加熱裝置的專利（公開號CN 119620268 A）。就是通過優化拋物面反射結構，顯著提升了半導體加熱設備的效率。另外，在 2024 年 11 月，新凱來技術還研發了靜電卡盤及技術設備（公開號CN 119069414 A），解決了晶圓加工中電荷釋放速率慢的產業痛點。據統計，新凱來近年來已累計申請數十項核心技術專利，涵蓋光學、材料、製程控制等關鍵環節。

目前，新凱來技術董事長戴軍身兼國家積體電路產業投資基金二期（俗稱大基金二期）監事、中芯國際（深圳）董事等職，而深圳市重大產業投資集團另一高管黃秀章也擔任中芯國際（深圳）監事。這意味著，新凱來的技術路線與中國先進晶圓廠的製程需求深度綁定，其研發方向直指國產替代的環節。

報導表示，以薄膜沉積設備為例，北方華創已實現 PVD、EPI 製程全覆蓋，中微公司在ALD金屬柵極設備上取得突破，而微導奈米則在 ALD 和 CVD 領域加速佈局。至於，新凱來的名山系列，恰是在這一產業協同背景下誕生的差異化產品矩陣。以 CVD 長白山為例，該設備需滿足從 28 奈米到 5 奈米不同製程的薄膜沉積需求。而根據 QYResearch 報告顯示，中國 CVD 設備市場規模將在 2030 年突破 50 億美元，但國產化率不足 20%。因此，中國廠商積極希望搶食大餅。

另外，新凱來正藉由中國的 FAB 廠（晶圓製造廠）的合作，可將設備研發與製程驗證同步推進，縮短產業化週期。此外，新凱來的國資背景為其提供了戰略定力。深圳市重大產業投資集團在公告中明確，新凱來技術的目標是保障國內半導體及電子製造產業供應鏈安全。這與國家第三代半導體技術創新中心（深圳）等平台形成呼應。2024 年 11 月，該中心綜合平臺建成，重點突破碳化矽、氮化鎵等第三代半導體材料裝備。