美國政府宣佈，根據雙方簽訂的不具約束力的初步備忘錄，美國政府將根據 《晶片與科學法案》 向記憶體大廠美光提供最多 61.4 億美元（約新台幣 1,980 億元）直接補貼。另外，還將提供 75 億美元的低利貸款，以支持美光在美國的半導體產線投資。
先前，美光曾經表示，到 2030 年前將在美國投資 500 億美元，在紐約州建設兩座先進 DRAM 記憶體超級晶圓廠。另外，在美光總部所在地的愛達荷州也將興建一座先進 DRAM 記憶體晶圓廠。其中，在愛達荷州的晶圓廠將於 2025 年完工，2026 年正式開始 DRAM 的生產。至於，美光在紐約州的首座晶圓廠，預計 2025 年開始建設，2028 年完工。
美光預計長期 500 億美元的投資金額，是美光整體 1,250 億美元投資計畫的一部分。包括美光在紐約州投資共計 1,000 億美元，到 2041 年興建完成四座超級晶圓廠，而愛達荷州則市投資 250 億美元。而這些興建的晶圓廠，每座晶圓廠的無塵室面積都將達到 600,000 平方英尺。美光預計，2030 年完工前三座晶圓廠之後，將推動美國在全球先進記憶體製造領域的市佔率，從現在的不到 2%，成長至 2035 年約 10%。這也將符合美國政府利推崇回半島體製造領先地位的目標，因此提供相關的資金補助。
美光還強調，未來的二十多年中，美光先進的五座晶圓廠將創造 11,000 個企業內部工作職缺，以及 9,000 個建築工作職缺，再加上 55,000 個間接工作職缺。而根據雙方簽訂的備忘錄，在獲得政府 61.4 億美元的資金補助之後，美光還可獲得至高 75 億美元 （約新台幣 2,400 億元）的貸款。而且，美光也有資格獲得美國財政部的投資稅收抵免，再加上紐約州政府也將提供價值 55 億美元 （約新台幣 1,770 億元) 的獎勵措施。
(首圖來源：科技新報攝)
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