半導體先進製程關鍵之一就是曝光設備，原因是一方面曝光設備佔所有先進製程製造設備成本 22% 左右，也佔製造工時 20% 左右。另一方面全球僅荷蘭商艾司摩爾 (ASML) 生產先進極紫外光曝光設備 (EUV)，EUV 又是進入 10 奈米以下先進製程的必備關鍵。半導體製造商要跨入先進製程，向 ASML 採購 EUV 曝光設備就必不可少。
目前 ASML 推出三代 EUV 曝光設備，分別是 TWINSCAN NXE: 3400B、NXE: 3400C、NXE: 3600D，數值孔徑都為 0.33。理論三代 EUV 曝光設備生產的晶片精度最多 2 奈米左右，一旦進入 2 奈米節點以下，也就是埃米（1 埃米＝0.1 奈米）時，ASML 還得研發更高精準度的曝光設備才行，稱為 High NA（高數值孔徑）EUV 曝光設備。
ASML 也早有準備。下一代高精準度 EUV 曝光設備型號為 EXE: 5000，數值孔徑為 0.55，可用於 2 奈米節點以下晶片製造，如 1.4 奈米（14 埃米）、 1 奈米（10 埃米）等製程。2020 年底有媒體報導，ASML 已基本研發完成高精準度 EUV 曝光設備，且正在試產，預計 2022 年就開始商用。日前比利時微電子研究中心（imec）也表示，ASML EXE: 5000 EUV 曝光設備將在 2022~2023 年起供貨。
雖然 ASML 2022~2023 年提供 EXE: 5000 高精準度 EUV 曝光設備，不過要以新曝光設備生產 2 奈米節點以下先進製程晶片，至少要到 2025 年後。據 Imec 11 月 ITF 大會先進製程節點演進狀況，2025 年開始推出 A14（A14＝1.4 奈米）製程節點、2027 年推出 A10（10＝1 奈米）製程節點、2029 年推出 A7（A7＝0.7 奈米）製程節點。
市場分析師也表示，ASML NXE: 5000 型號 0.55 高數值孔徑 EUV 曝光設備，預計每套售價高達 3 億美元（約新台幣 83.5 億元），是 0.33 孔徑 EUV 曝光設備兩倍，對半導體製造廠是另一驚人資本支出高峰期，目前僅台積電、三星、英特爾等三家廠商有能力持續研發先進製程，未來競爭高數值孔徑 EUV 曝光設備搶得先機，將是難以避免的戲碼。
(首圖來源：ASML)
