隨著半導體市場需求的成長，晶圓代工龍頭台積電宣布 2021 年將提高資本支出到 250 億美元至 280 億美元之後，競爭對手南韓三星也不遑多讓，預計 2021 年針對半導體事業的資本支出較 2020 年增加 20%，金額達 35 兆韓圜（約 296 億美元），將分別投資於記憶體與晶圓代工等相關事業。
根據南韓媒體《ETnews》報導，三星即將於 2021 年開始規模達 35 兆韓圜的投資計畫，包括投資中國西安及南韓平澤等地生產線，投資項目不僅 DRAM 與 NAND Flash 等記憶體項目，還將包括晶圓代工業務的部分。除此之外，三星方面也會積極投資相關供應鏈發展，如相關的半導體材料、零組件，或者是設備的相關公司。
報導強調，三星的 35 兆韓圜投資計畫，其中 24 兆韓圜將用於記憶體事業，另外的 11 兆韓圜則將用於晶圓代工業務。而這些項目將集中在中國西安及南韓平澤的第 2 工廠，且目前已經開始積極準備。例如，三星日前已經對南韓境內半導體設備商分別下訂 1,170 億及 276 億韓圜金額的設備，這些設備預計將在 2021 年 6 到 7 月份交貨，屆時將安裝在中國西安的第 2 工廠中，用以生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND。另外，針對新一代 DDR5 記憶體生產，三星日前也已經下訂 345 億韓圜的檢測設備。
南韓市場人士表示，因為 DRAM 與 NAND Flash 等記憶體項目是三星主要的營收來源，期望藉由增加投資讓中國西安及南韓平澤第2工廠的空間能獲的充分的運用，以達到擴產增加營收的目標。市場人士表示，三星預計把兩個地區第 2 工廠的空間填滿，這將使的中國西安增加月產能達 5.5 萬片，而南韓平澤則將每月增加 DRAM 3 萬到 6 萬片的產能，NAND Flash 每月增加 1.8 萬到 3 萬片的產能。
報導進一步指出，目前三星的投資計畫可能因為市場的狀況而有所變化。不過，因為武漢肺炎疫情的影響，使得智慧型手機與汽車電子在當前快速復甦而造成市場需求大增，三星積極增加投資將是必然的趨勢，藉以應付未來市場成長時的需求。不過，針對先前媒體報導，三星預計斥資 100 億美元在美國德州奧斯汀興建晶圓廠一事，目前的進展可能趕不上當前市場的需求。原因在於即使目前已經加快相關興建的計劃腳步，但當前仍處在基礎設施規劃的狀態。因此，要整體完成晶圓廠的興建還需要 2~3 年的時間，使得短期間內無法對三星的營運有所挹注。
（首圖來源：Flickr/DennisM2 CC BY 2.0）
