就在美光執行長 Sanjay Mehrotra 於 6 月 2 日在 Computex 2021 論壇的主題演講中宣布，將正式量產 1α 製程的 LPDDR4x DRAM，並且目前正在向 AMD 和 Acer 供應 1α 製程的 DRAM 之外，另外還宣布了開始量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體之後，其消息震撼了目前在 DRAM 市佔率上領先全球的南韓業界。
根據南韓媒體 《KoreaBusiness》 的報導，美光的 1α 製程 DRAM 相當於南韓三星和 SK 海力士的 14 奈米製程 DRAM。而目前美光是世界上第一家量產該款 14 奈米製程 DRAM 的公司公司。再加上 2020 年 11 月美光宣布開始量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體之後，這代表著美光不論是在 DRAM，還是在 NAND Flash 快閃記憶體的生產技術上都超越了南韓的兩家公司。
報導指出，南韓的一位市場人士表示，由於核心製程技術的不同，很難直接將美光的技術與南韓的三星和 SK 海力士的技術相比較。不過，令人驚訝的是，美光在沒有極紫外線曝光設備 (EUV) 的輔助下，縮小了與兩家南韓記憶體大廠的生產製造技術差距。
報導強調，現階段三星和 SK 海力士尚未開始量產 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體。其中，SK 海力士雖然於 2020 年 12 月宣布完成 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體的開發。不過，到目前為止還沒有達到量產的階段。雖然，兩家南韓記憶體企業都表示，2021 年下半年可以量產 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體。但市場人士認為，量產的時間實際上會到 2021 年底。另外，也預計這兩家南韓記憶體廠商的量產 14 奈米製程 DRAM 的時間也會是自 2021 年底開始。
報導進一步強調，南韓的半導體產業非常關注美光在不使用 EUV 曝光設備的情況下成功開發 出14 奈米製程 DRAM 的消息，因為這是半導體製程微縮的關鍵。目前，三星和 SK 海力士正在將 EUV 技術應用於 10 奈米等級，但技術較為入門的 DRAM 生產。
而相較於南韓的兩家廠商，目前是台灣投資金額最大的外商美光，最新技術是在不使用 EUV 曝光設備，而是採用上一代的深紫外 (DUV) 曝光設備就可以來生產記憶體。市場人士也強調，因為由荷蘭商 ASML 所生產的 EUV 曝光設備每部造價高達 1.5 億美元，用其生產的記憶體將會有比較高的成本。但是美光採用上一代的 DUV 曝光設備就能生產相關的記憶體產品，在產品成本的競爭力上將更具優勢。
不過，仍有南韓專家調，美光的 1α 製程的 DRAM 和 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體尚未經過與三星和 SK 海力士的產品進行比較，是否能有相同的性能。因此，未來美光的產品將能對兩家南韓廠商有多大的威脅，有待後續觀察。
(首圖來源：官網)
