川普半導體關稅即將開鍘，三星、SK海力士重度依賴中國生產成風險

韓國媒體報導，隨著美國總統川普發起的半導體關稅政策即將開鍘，記憶體產業的全球三大廠，包括三星電子、SK 海力士、美光科技正忙著盤算各自的衝擊。由於美國幾乎 90% 的記憶體都依賴進口。即便美光在維吉尼亞州設有工廠，但其設備陳舊且產量低，迫使其完全依賴進口先進記憶體。但美光生產基地不以中國為主的情況下，相較三星與 SK 海力士將會佔有相對優勢。

根據韓國朝鮮日報的報導，半導體業界預期，川普將很難對半導體徵收高額關稅。不過，即使徵收或免徵一般關稅，且不採取任何針對半導體的特殊措施，預計美光公司在三大記憶體廠商中仍具相對優勢。這是因為三星電子和 SK 海力士的半導體生產設施集中在韓國和中國，而美光公司的生產設施則分散在新加坡、台灣、日本和美國。

根據市場調查公司 Omdia 的全球半導體產量分析，在三星電子、SK 海力士、美光三家企業中，預計 SK 海力士受半導體關稅影響最大。因為即使川普對記憶體給予普遍關稅或豁免，但是因為川普主要針對中國徵收的高關稅仍可能維持。因此，預計 SK 海力士的風險，將是受到每年在中國生產約總產量超過 40% 的 DRAM 所拖累。

至於，美光方面，因為生產基地分佈在台灣、新加坡、日本。其中，最老的 Fab 4 晶圓廠位於美國，但設備本身已陳舊，且在量產老製程 DRAM，其產能站總產量的比重僅為總產量8%。而現階段美光主要的生產基地為新加坡，是與美國互惠關稅稅率最低的國家之一。剩餘產能為台灣桃園廠（Fab 11）、台中廠（Fab 16）及日本廣島廠（Fab 15）所吸收。美光也計劃從 2025 年開始，對其在美國老化的晶圓廠進行現代化改造，以便能夠在中長期內生產包括高頻寬記憶體（HBM）在內的尖端產品。

另外，在三星的方面，因為大部分 DRAM 均在韓國華城和平澤等地的工廠生產。如果對記憶體實施一般關稅措施，則有可能只徵收 10% 的基本關稅。然而，位在中國西安工廠卻有問題。三星電子西安工廠是該公司最大的 NAND Flash 快閃記憶體生產基地，佔總產量的 40% 以上。截至 2024 年，西安廠區的晶圓年產量達到 57 萬片，佔比達到 44%。即使實施普遍關稅，位在中國西安工廠風險仍然相當大。

而處境最困難的 SK 海力士，其在 2024年於中國得無錫工廠生產了 210 萬片DRAM，佔其總產量的 41%。這些相對高價值的晶片，對SK海力士的營收貢獻巨大，這使得在貝克關稅後也將對該公司造重驗種衝擊。尤其，報導引用半導體市場人士的說法指出，在美國大部分 DRAM 和 NAND Flash 快閃記憶體都從海外進口情況下，因此很難投下引發產品大幅漲價的關稅炸彈。不過，即使徵收普遍關稅，高度依賴中國的韓國廠商預計仍將受到打擊。

(首圖來源：Pixabay)

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