面對市場需求增加，記憶體產業持續復甦，韓國媒體 ETNews 報導，三星確認平澤 P4 工廠建設 1c 奈米製程 DRAM 記憶體產線投資計畫，目標是 2025 年 6 月量產。
三星平澤 P4 是綜合性半導體生產中心，分為四期計畫。三星早期規劃，一期生產 NAND Flash 快閃記憶體，二期為邏輯代工，三期及四期為 DRAM 記憶體。三星已在 P4 一期導入 DRAM 設備，卻宣佈擱置二期建設。
1c 奈米製程 DRAM 是第六代 10 奈米級 DRAM 製程，各大記憶體 1c 奈米產品均未發表。三星計畫年底啟動 1c 奈米生產。三星考慮 2025 下半年推出 HBM4 採 1c 奈米 DRAM 裸片，或以更先進 DRAM 製程提升 HBM4 競爭力，追上對手 SK 海力士。
考量到 HBM 對 DRAM 晶圓的消耗量遠高於傳統記憶體，故三星平澤 P4 建設 1c 奈米 DRAM 產線，市場推測可能也是為了 HBM4 預做準備。
(首圖來源：三星)
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