車用需求加持下，碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等次世代功率半導體需求衝，預估將以每年約 20% 的速度呈現增長，其中 2030 年 SiC 產品市場規模預估將跳增 2.8 倍、GaN 將飆增 6.5 倍。
日本市調機構富士經濟（Fuji Keizai）10日公布調查報告指出，因汽車／電子設備、產業用需求大幅萎縮，拖累2020年全球功率半導體市場規模年減3.8%至2兆8,043億日圓，矽（Si）製產品規模萎縮4.0%至2兆7,529億日圓，SiC等次世代產品市場成長9.6%至514億日圓。
次世代產品中，2020年SiC功率半導體市場規模年增9.6%至493億日圓，GaN功率半導體成長15.8%至22億日圓、氧化鎵功率半導體市場則僅有「一點點」。
富士經濟指出，2020年功率半導體市場雖陷入萎縮，不過自2021年以後，因車輛電子化、5G通訊相關投資增加，加上產業領域需求回復，因此預估市場將轉趨擴大，預估2030年市場規模將達4兆471億日圓，較2020年成長44.3%，矽製產品市場規模預估為3兆7,981億日圓，較2020年成長38.0%。
富士經濟表示，自2021年以後，在汽車／電子設備需求加持下，預估次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現增長，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍（成長約380%）。
因汽車／電子設備需求加持，中國、北美、歐洲需求揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴大至1,859億日圓，較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴大至166億日圓，較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
功率半導體除了是電動車（EV）關鍵零件，也正擴大應用於工業機器人、離岸風力發電設備等用途，是減碳不可或缺的產品之一。
目前日系廠商在功率半導體市場上擁有一定的存在感，三菱電機、富士電機、東芝等三家廠商合計握有全球二成市占。
日經新聞1月15日報導，Rohm計劃在今後5年內投資600億日圓，使用於EV的SiC功率半導體產能擴增至現行5倍；富士電機將投資約1,200億日圓擴增日本國內外工廠產能，增產功率半導體；東芝計畫2023年度結束前投資約800億日圓、將功率半導體產能提高三成。
報導指出，Rohm SiC功率半導體研發居領先，全球SiC功率半導體市場握有二成市占率，和英飛凌（Infineon）、STMicroelectronics並列為全球主要供應商之一，產能擴增至5倍後、全球市占率有望提高至三成。Rohm生產的半導體材料也以經由汽車零件廠的形式，用於特斯拉（Tesla）的EV逆變器（inverter）。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：Flickr/Open Grid Scheduler / Grid Engine CC BY 2.0）
