全球瘋半導體!不僅台積電,三星、SK海力士外資持股比重也創高

新聞媒體 2024-05-15
全球瘋半導體!不僅台積電,三星、SK 海力士外資持股比重也創高

眾所周知,目前晶圓代工龍頭台積電的外資持股比例超過七成以上。而隨著全球半導體產業的持續發展,外資大幅加碼持股半導體類股已經為趨勢。根據韓國媒體報導,繼韓國三星電子的外資持股比例創下 41 個月新高後,SK 海力士也在上個月也創下了歷史新高的外資持股比重。

BusinessKorea 報導,根據韓國交易所 5 月13日消息,截至 5 月 9 日收盤為止,韓國市值最大的三星電子,其外資持股比例達到 56.02%,創下三年來最高水平,這也是三星電子自 2020 年 12 月 17 日外資持股比重達到 56.03% 以來的新紀錄。另外,除了三星電子,韓國記憶體大廠 SK 海力士的外資持股比眾近期也達到了 「歷史新高」 水準。截至 5 月 10 日為止,SK 海力士的外資持股比重來到 54.32%,4 月 15 日還曾經一度飆高到 54.92%。

報導指出,2024 年開年以來,外國投資者就已經淨買入三星電子 8.31 兆韓圜 (約 60.7 億美元)。 SK 海力士也淨買入 1.26 兆韓圜。考慮到 2024 年整體韓國股市外國投資者淨買入總額為 20.76 兆韓圜,合計三星電子和 SK 海力士外資的淨買入金額達到 9.57 兆韓元,佔韓國股市總淨買入金額的 46.1%,比例接近一半。

報導強調,在經歷過記憶體是尺的低潮期之後,外資開始大舉買入三星電子與 SK 海力士的股票。其原因除了市場復甦帶動的價格上漲之外,另一重要原因就是來自於 AI 市場對於高頻寬記憶體市場的需求。根據市場研究調查機構 TrendForce 預測,2024 年第二季 DRAM 和 NAND Flash 快閃記憶體的價格將分別上漲 13% 至 18%,以及15% 至 20%。這項預測代表,DRAM 的價格漲幅將超過最初預測的 3% 至 8% 的幅度,而 NAND Flash 快閃記憶體的價格漲幅也將超過最初預測的 13% 至 18%的幅度。

此外,隨著全球對 AI 市場對半導體需求不斷增加,市場也預計,對 AI 半導體關鍵元件的高頻寬記憶體的強勁需求將進一步推高三星電子和 SK 海力士的股價。根據 TrendForce 最近的預期,第五代 12 層堆疊的 HBM3E 等新一代 HBM 產品的需求將大幅提升。預計 2024 年 HBM 的需求成長將達到 200%,2025 年將達到 400%。因此,預計 HBM 將佔整個 DRAM 市場的比重,預計將從 2023 年的 2%,增加到 2024 年的 5%,到 2025 年則將超過 10%。

(首圖來源:官網)

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