台積電先進製程的部分，目前 5 奈米準備積極進入量產，3 奈米也將在 2022 年投產的關鍵時刻，更先進的 2 奈米製程也傳出取得重大進展，市場估計 2 奈米預計在 2023~2024 年量產的情況下，預計將能進一步鞏固全球晶圓代工龍頭的地位。

根據《經濟日報》的報導，台積電在 3 奈米製程決定以成本及良率的考慮，延用鰭式場效電晶體（FinFET）技術，並取得全球的領導地位之後，更先進的 2 奈米製程預計將切入環繞閘極（GAA）技術，正式進入另一個全新的製程技術領域，而且預料在接下來的年度技術論壇中，台積電將會公布這項成果。不過，台積電對此並未做任何評論。

報導指出，雖然台積電自 2019 年公布，將以數百人的研發團隊正式投入 2 奈米的技術研發以來，至今沒有公布 2 奈米製程節點會選擇沿用 FinFET 技術，或者是改用 GAA 技術。不過，根據相關供應鏈表示，因為 FinFET 技術將自 3 奈米以下會面臨技術瓶頸，因此台積電才會在 2 奈米選擇採用 GAA 的技術。

另外，因為競爭對手三星已經宣布自 3 奈米的製程節點開始，就採用 GAA 的技術，台積電的時程顯然落後三星，不過市場人士指出，就之前台積電也較三星晚採用極紫外光刻設備，但在製程良率上仍領先三星的情況下，台積電採穩扎穩打的務實性做法，於 2 奈米才採用 GAA 技術而落三星一個世代，預計還是能持續維持其優勢的地位。

報導進一步指出，這次台積電能在 2 奈米製程節點上有所突破，歸功於台積電挽留了 3 年前即要退休的台積電最資深副總經理羅唯仁。在他帶領的團隊為製程技術研發進行了突破，才有了當前的成果。為此，羅唯仁還為團隊舉行了慶功宴，以感謝團隊的辛勞。

而根據日前台積電的公告，預計 2021 年動工，將於美國亞利桑那州設置的 12 吋廠將以 5 奈米製程為主，並將於 2024 年投產，月產能達到 2 萬片的產能。而這時間點對照目前台積電先進製程的發展計畫，屆時台積電在台灣部分已經 2 奈米進入投產階段，使得整體美國廠的完工，屆時將對台積電在台灣的先進製程訂單不會有所影響。

此外，日前也外傳，競爭對手三星也宣布將放棄 4 奈米的製程，直接投入 3 奈米製程與台積電面對面競爭。市場人士也表示，就台積電一旦真的如其在 2023 年到 2024 年間量產 GAA 技術的 2 奈米製程，則三星想在 3 奈米製程彎道超車的狀況，將會難上加難。

（首圖來源：科技新報攝）