台亞半導體今（20 日）召開股東常會，總經理衣冠君指出，台亞半導體目前主要事業仍是感測元件，隨著疫情解封，消費性市場已從去年谷底逐步回溫，公司已著手進行策略性的產能調整，除滿足客戶的急單需求之外，因應下半年的穿戴裝置旺季作準備。
台亞指出，將持續投入寬禁帶半導體（第三類半導體）的研發與製造，特別在功率元件上的技術及應用開發，且成立「積亞半導體」投入碳化矽的磊晶及 MOSFET 功率元件之生產製造，預計 2023 年第四季前完成六吋碳化矽每月 3,000 片的產能置備，逐步開始生產，後續產能目標為每月 5,000片。產品應用主要為電動車 OBC、太陽能逆變器及充電樁。
至於氮化鎵（GaN-on-Si）方面，產能建置初期以六吋晶圓為主，充分利用現有之六吋生產設備、增置關鍵 MOCVD 磊晶機。現已完成第一顆 650V D-mode HEMT 開發，並送樣予客戶驗證，其應用範疇涵括工具機、綠能（太陽能逆變器）、LED 照明電源（模組）、電競筆電等多元市場。
衣冠君表示，氮化鎵的八吋產線將於 2023 年底前完成置備，並開發 E-mode 650V HEMT 功率元件，聚焦於 3C 快充、雲端資訊儲存中心、電動車、無人機市場，目標設定為 2024 年底前達每月 3,000 片之出貨量。
台亞半導體斥資新建寬禁帶半導體產線時，同步納入扶植臺灣本土設備製造商之考量，是台亞第一條 8 吋氮化鎵生產線已經達到 40% 國產自製設備，是全台採用國產設備最高的公司。
同時，為因應未來寬禁帶半導體功率元件的需求爆發，台亞透露，現正加速於銅鑼科學園區規劃新建廠房，占地達 4 公頃，預計招聘數百位工程師，專長涵蓋晶片設計、製造、封裝與測試等領域，預計 2025 年底完成潔淨室等土建工程，2026 年初開始生產功率半導體元件。
此外，台亞這次股東會中通過發放每股現金股利 1 元，也通過去年分割出的子公司「光磊先進顯示」未來上市櫃規劃的釋股案。
（首圖來源：科技新報）
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