意圖顛覆中NAND市占?長江存儲新廠動工,產量將增3倍

新聞媒體 2020-06-24


美中加速脫鉤,「中國製造 2025」核心業者之一記憶體製造商長江存儲,近來動工興建二期新廠,目標月產量提高三倍,以減少對美國半導體的依賴。

日經新聞、中新網報導,長江存儲以武漢為大本營,20 日在武漢舉行開工典禮。湖北省委書記應勇是習近平心腹,也應邀出席。

長江存儲 2019 年起開始量產記憶體,一期產量為每月 10 萬片,二期工廠完工後,產量將增至每月 30 萬片。第一、二期投資總額為 240 億美元,業界密切關注新廠製造設備進口和安裝過程,能否順利進行。

中國 2015 年發布「中國製造 2025」,以培植高科技產業。當局成立了 3 家半導體公司,生產中國自製晶片,長江存儲是其中之一,以供應 NAND Flash 為主。今年 4 月長江存儲宣布,成功研發出 128 層 3D NAND。

Semiconductor Engineering 22 日報導,中國多數記憶體都仰賴進口,為了改善情況,中國開始發展記憶體,長江存儲跨足 3D NAND、長鑫存儲則生產 DRAM。去年長江存儲首次成功出貨 64 層 3D NAND,今年 4 月還宣布研發出 128 層 3D NAND。目前長江存儲技術仍落後同業,國際業者主要生產 92 / 96層的 3D NAND,並增產 112 / 128 層 3D NAND。

儘管如此,長江存儲有能力撼動中國市場。其記憶體已用於中廠生產的 USB 卡和固態硬碟(SSD),TechInsights 分析師 Jeongdong Choe 說,如果中國 OEM 代工廠採用長江存儲科技,「有望顛覆NAND市占」。

但中廠要在國際記憶體市場占有一席之地,仍有很長的路要走。IC Insights 董事長 Bill McClean 說:「IC Insights 高度懷疑,未來十年中國能否發展出具競爭力的本土記憶體產業,以滿足中國的記憶體 IC 需求」。非記憶體晶片,如類比、邏輯、混合訊號、射頻(RF)晶片也是如此,McClean 指出:「中廠要在非記憶體市場具有競爭力,將花費數十年時間」。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:長江存儲


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