
半導體檢測企業汎銓科技 2 日在竹北舉行 SAC-TEM Center 的新廠上梁典禮,董事長柳紀綸在典禮致詞時表示,半導體製程進入 2 奈米節點製程之後,半導體製程中微小的蝕刻、新材料複雜度提升,精準材料分析 (MA) 技術服務需求殷切。因此,透過新廠建構的服務,未來將能滿足相關的市場需求。
汎銓科技表示,為擎劃未來長期營運布局,因應未來十年埃米世代制程材料分析商機,旗下高階 SAC-TEM Center 廠房於 2 日舉行上梁典禮,此廠房採用單樓層獨立式防振基礎、三層鋼骨耐震結構設計構造,預計於 2025 年下半年正式興建完成並進行承租,助力半導體矽光子、AI 晶片技術研發後盾之新里程碑。
汎銓科技指出,隨著 AI 技術長期發展趨勢,半導體制程邁向埃米世代,汎銓深化衝刺「埃米世代制程材料分析」、「矽光子光衰漏光斷光分析」及「美國 AI 客戶專區」三大業務方針,尤其汎銓在矽光子、AI 晶片分析及精密工法技術領先優勢並取得良好實績,包括旗下矽光子光損偵測裝置已取得台灣、日本發明專利,並持續進行歐美韓中專利申請流程中,再加上泛銓憑藉旗下矽光子測試及光損中斷點定位分析業務具高度技術門檻,目前 AI 客戶更加大檢測分析業務需求,有望帶動汎銓 AI 晶片暨矽光子相關檢測營收。
另外,由於半導體製程中微小的蝕刻、新材料複雜度提升,對於精准的材料分析 (MA) 技術服務需求殷切,汎銓科技旗下檢測分析據點及高階 SAC-TEM Center 廠房皆以高規格防振、耐震結構設計,引進最新檢測分析設備,並因應各別客戶檢測分析需求,進行廠區專區化以落實最嚴謹機密資訊安全,有效達到技術專注、專業人才穩定、提高分析效率等多面綜效,確保客戶取得明確的結構及成分分析資料,以利後續制程判斷。
柳紀綸進一步指出,在當前進入次埃米製程的階段,其半導體的影像放大倍率都是上千萬倍,達到原子體影像,所以所有環境的干擾跟震動都必須進一步避免,這使得接地對設備的影響就變得非常重要。因此,汎銓科技在 SAC-TEM Center 廠房中所有的設備都有離子接地的設備,透過接地線的阻抗避免掉相關干擾之後,加上新設計的消磁設備,才有辦法確保設備的整個影像拍攝達到需求的標準。這樣使得在新廠房中前段的雙槍聚焦離子束顯微鏡,以及後段的 SAC-TEM 可以滿足新的市場需求。整體廠房預計將能在 8 月落成,之後跟隨著客戶的訂單開始運作。
不僅如此,因應半導體相關客戶檢測分析委案需求,加上各國推進建立當地半導體自主化政策商機,汎銓科技秉持為半導體上中下游相關客戶於制程技術研發之重要檢測分析夥伴,仍規劃全球半導體研發重要聚落設立分析實驗室,擴增整體材料分析 (MA) 產能及專業檢測人力團隊等布局。其中,日本、美國地區營運據點將陸續於 2025 年正式啟用並創造營運貢獻。泛銓看待整體營運隨著矽光子、 AI 晶片分析業務規模擴大,日本與美國新營運據點的加入,同時深化檢測分析技術研發,精進檢測分析委案服務管理,為未來營運注入相當有利成長條件,並樂觀看待下半年營運優於上半年可期。
(首圖來源:科技新報攝)
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