晶圓代工大廠聯電及 100% 持股子公司宏誠創投宣布，兩家公司董事會通過與頎邦科技進行股份交換案。預計未來順利完成之後，聯電及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。
聯電指出，雙方基於多年來在驅動 IC 的領域密切聯繫合作，雙方董事會決議以換股方式，相互取得對方股權，更進一步強化雙方長期策略合作關係。三方同意依公司法第 156 條之 3 之規定進行股份交換，由頎邦增資發行普通股新股 67,152,322 股作為對價，以受讓聯電增資發行之普通股新股 61,107,841 股，以及宏誠創投所持有之聯電已發行普通股 16,078,737 股，換股比例為聯電每 1 股換發頎邦 0.87 股。預計換股交易完成後，聯電及子公司宏誠創投將共同持有頎邦約 9.09% 股權，頎邦則將持有聯電約 0.62% 股權。
聯電強調，聯電當前以先進製程技術提供晶圓製造服務，為 IC 產業各項應用產品生產晶片，並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案，以符合客戶的晶片設計需求，所提供方案橫跨 14 奈米到 0.6 微米之製程技術。頎邦的技術製程主要是聚焦於面板驅動 IC 封裝測試、覆晶凸塊製作及晶圓級晶片尺寸封測 (WLCSP)，並持續投入扇出型系統級封裝 (FOSiP) 及覆晶系統型封裝 (FCSiP) 等相關高階先進封裝技術製程開發。
另外，聯電為台灣最早經營面板驅動 IC 晶圓代工的廠商，亦為成功使用 28 奈米高壓製程於 AMOLED 面板驅動 IC 之先行者，並已進階至 22 奈米。頎邦則是全球驅動 IC 封測代工領導者，產能、技術獨步全球。兩家公司將在驅動 IC 領域密切合作，整合前、後段製程技術，往更高頻、更低功耗等方向邁進，共同提供面板業界一元化的解決方案。
聯電進一步表示，聯電近年積極投入開發化合物半導體氮化鎵 (GaN) 功率元件與射頻元件製程開發，鎖定市場商機為高效能電源功率元件及 5G 射頻元件。頎邦在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年，並已在此行業佔有舉足輕重之地位，服務項目包括覆晶凸塊 (Bumping)、厚銅重佈線 (RDL) 及晶圓級晶片尺寸 (WLCSP) 封測，適用晶圓材質除了矽 (Si) 外，也已經開始量產於砷化鉀 (GaAs)、碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 等化合物晶圓上。頎邦也正在致力開發覆晶系統級 (FCSiP)、扇出型系統級 (FOSiP) 等先進封裝技術。聯電、頎邦分居產業供應鏈之上下游，兩家公司將在這些市場區塊通力合作。
聯電總經理簡山傑表示，聯電一向致力於以全球化佈局擴展營運規模、強化客戶競爭力及提升股東價值。面對半導體技術日趨精進，基於產業趨勢及市場共同性，聯電除了研發自有晶圓代工技術，也與策略夥伴攜手合作，結合雙方技術優勢，整合上下游供應鏈資源，提供客戶先進的製程技術方案及更完整的全方位服務。
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