媒體報導，日本國家支持的半導體企業 Rapidus，首要任務是提高日本先進半導體製造競爭力，考慮於日本北海道投資 5 兆日圓建設第一座晶圓廠，最早 3 月前決定選址。日媒最新報導，Rapidus 首座晶圓廠預定地就在北海道新千歲機場旁邊，未來可享有交通便利優勢。
日本政府表示投資 Rapidus 700 億日圓（約 5.25 億美元），支持由 SONY 集團和 NEC 等 8 家日本科技大廠投資的合資企業。Rapidus 希望 2020 年中期奠定日本先進半導體製造基礎，包括製造設備與技術。此計畫由尖端半導體科技中心 (the Leading-edge Semiconductor Technology Center，LSTC) 統籌，日本政府 10 年間將透過 LSTC 投資 Rapidus 達 347 億美元。
Rapidus 與 LSTC 的合作方式除了投資，還有藉 Rapidus 前段開放研發平台設計、先進設計技術與製造設備與材料研發，之後還有透過 Rapidus 與海外技術研發機構 NSTC、IBMX 及 iMECX 等技術合作。最後會由 Rapidus 提供測試產線、為專門設計晶片量產提供環境、提供量產設備與材料、建立完整生產線等，提高日本先進半導體生產力。
外媒報導，Rapidus 預定 2025 上半年建造一條 2 奈米原型產線，希望 2025 年追上開始量產 2 奈米的台積電與其他世界級半導體對手。不過要達成目標，需約 7 兆日圓（約 540 億美元）資金，才能 2027 年左右開始亮產先進邏輯晶片。日本政府透過 LSTC 投資金額可能會更高，以滿足將來需求。
(首圖來源：shutterstock)
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