根據市場研究及調查機構 TrendForce 旗下半導體研究處的最新研究調查報告數據顯示，近期因為包括中國 DRAM 廠商在測試上遭遇技術瓶頸、現貨市場與合約市場約有 20% 的價格落差、以及中國華為在受到美國制裁令影響，目前在市場上大量掃貨的情況下，使得近期 DRAM 市場在低迷了一段長時間之後，又有價格上漲的趨勢。

報告指出，包括中國 DRAM 廠商在測試上遭遇技術瓶頸、現貨市場與合約市場約有 20% 的價格落差、以及中國華為在受到美國制裁令影響，目前在市場上大量掃貨的情況中，以華為掃貨的因素影響近期 DRAM 價格的情況最為明顯。而且，華為的掃貨動作還間接影響了許多中國的設備製造商開始進行增加庫存的情況，由於現貨價格對市場需求變化較合約價格更為敏感的情況下，這也連帶增加了近期 DRAM 價格的變化。

報告進一步指出，在華為的大量掃貨情況下，市場中特殊規格用於 5G 基礎建設中，包括網通設備及終端產品上的 DRAM 需求，相較於搭載在行動裝置或伺服器上的 DARM，其情況最為明顯。至於，搭載在行動裝置或伺服器上的 DARM 也因為美國針對華為的禁令而出現新的市場需求。但相較來說，這些新的需求仍不足以扭轉當前在這兩個市場領域供過於求的狀況。因此，報告中雖仍維持搭載在行動裝置或伺服器上 DARM 在第 3 及第 4 季的價格下跌的預估，但是在特殊規格網通設備及終端產品上使用 DRAM，2020 年第 4 季價格預估，則將從原本的下滑 10%，上調為持平到下跌 5%。

除了 DRAM 之外，TrendForce 在報告中也對 NAND Flash 快閃記憶體的價格趨勢進行分析，表示在當前市場價格仍然疲弱，而且在供應商競爭日缺激烈的情況下，短時間仍無法看到價格明顯反彈的跡象。

(首圖來源:sk hynix)