需求快速轉弱、供應端庫存難去化,記憶體廠罕見減產因應

新聞媒體 2022-10-04


TrendForce 調查顯示,2021 年第四季起受部分消費性電子需求走弱影響,記憶體價格進入下跌走勢,加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的衝擊,旺季不旺,庫存壓力由買方端延伸至原廠。為因應前述情況,美光(Micron)上週宣告減產 DRAM 與 NAND Flash,為首家正式下調產能利用率的記憶體大廠。NAND Flash 市況較 DRAM 更嚴峻,隨著主流容量晶圓合約均價跌至現金成本,逼近各原廠虧損邊緣,鎧俠(Kioxia)繼美光後也公告 10 月起減少 NAND Flash 產能利用率達 30%。

DRAM方面,合約價格仍高過於各主流供應商的總生產成本,因此與NAND Flash相較,尚待觀察是否有大幅減產出現。美光除了提及微幅下調產能利用率,主要強調2023年度資本支出大幅下修,以及明年度DRAM生產位元年成長僅約5%。TrendForce認為,照美光說法,要達到如此保守的位元成長,代表產能利用率還有大幅下修空間,後續減產執行程度待觀察。

NAND Flash方面, 美光原定第四季起逐步放大232層產品比重,然隨著調降產能利用率決策落實,預估2023年美光主流製程仍是176層,同時舊製程投片減少。鎧俠及威騰電子(WDC)原計畫第四季起轉進162層產品,然威騰2023年資本支出顯示放緩,資金難以到位且需求能見度差,大幅降低162層產品比重,無法達成2023年取代112層產品成為主流的計畫。

從2023年記憶體供需態勢分析,由於需求展望保守,DRAM與NAND Flash各季皆呈大幅供過於求,2023上半年庫存壓力持續升高。DRAM領域,美光先宣布DRAM減產規劃將遠低於供給位元成長的歷史水位後,2023全年DRAM供過於求比例(Sufficiency Ratio)將由TrendForce預估11.6%收斂至低於10%,有助改善快速惡化的庫存壓力,不過後續仍仰賴更多供應商加入DRAM實質減產,才能扭轉明年供需劣勢。

NAND Flash領域由於競爭者眾多,且製造方面未逼近物理極限限制,收斂供給位元是當務之急。美光、鎧俠供給位元成長皆下修,2023全年NAND Flash供過於求比例將由預估10.1%大幅下降至5.6%,更多NAND Flash供應商在虧損考量加入減產行列預期下,庫存壓力可望2023年第二季緩解,價格跌幅預計2023下半年收斂。

(首圖來源:shutterstock)


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