TrendForce 調查顯示，2021 年第四季起受部分消費性電子需求走弱影響，記憶體價格進入下跌走勢，加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的衝擊，旺季不旺，庫存壓力由買方端延伸至原廠。為因應前述情況，美光（Micron）上週宣告減產 DRAM 與 NAND Flash，為首家正式下調產能利用率的記憶體大廠。NAND Flash 市況較 DRAM 更嚴峻，隨著主流容量晶圓合約均價跌至現金成本，逼近各原廠虧損邊緣，鎧俠（Kioxia）繼美光後也公告 10 月起減少 NAND Flash 產能利用率達 30%。
DRAM方面，合約價格仍高過於各主流供應商的總生產成本，因此與NAND Flash相較，尚待觀察是否有大幅減產出現。美光除了提及微幅下調產能利用率，主要強調2023年度資本支出大幅下修，以及明年度DRAM生產位元年成長僅約5%。TrendForce認為，照美光說法，要達到如此保守的位元成長，代表產能利用率還有大幅下修空間，後續減產執行程度待觀察。
NAND Flash方面， 美光原定第四季起逐步放大232層產品比重，然隨著調降產能利用率決策落實，預估2023年美光主流製程仍是176層，同時舊製程投片減少。鎧俠及威騰電子（WDC）原計畫第四季起轉進162層產品，然威騰2023年資本支出顯示放緩，資金難以到位且需求能見度差，大幅降低162層產品比重，無法達成2023年取代112層產品成為主流的計畫。
從2023年記憶體供需態勢分析，由於需求展望保守，DRAM與NAND Flash各季皆呈大幅供過於求，2023上半年庫存壓力持續升高。DRAM領域，美光先宣布DRAM減產規劃將遠低於供給位元成長的歷史水位後，2023全年DRAM供過於求比例（Sufficiency Ratio）將由TrendForce預估11.6%收斂至低於10%，有助改善快速惡化的庫存壓力，不過後續仍仰賴更多供應商加入DRAM實質減產，才能扭轉明年供需劣勢。
NAND Flash領域由於競爭者眾多，且製造方面未逼近物理極限限制，收斂供給位元是當務之急。美光、鎧俠供給位元成長皆下修，2023全年NAND Flash供過於求比例將由預估10.1%大幅下降至5.6%，更多NAND Flash供應商在虧損考量加入減產行列預期下，庫存壓力可望2023年第二季緩解，價格跌幅預計2023下半年收斂。
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