根據外媒報導，隨著 2021 年全球三大記憶體廠陸續將大規模量產下一代 DDR5 DRAM 的情況下，預計記憶體市場將迎接下一個成長週期，這使得三星、SK 海力士、美光等三大記憶體公司正在加緊技術開發，以面對市場競爭而搶攻市占率。
根據南韓媒體 《BusinessKorea》 的報導，全球記憶體產業龍頭的南韓三星電子計劃在 2021 年下半年，正式推出 DDR5 DRAM。相較於當前產品 DDR4 的規格，DDR5 DRAM 的傳輸速率可高達 6,400 Mbps，是 DDR4 DRAM 的 3,200 Mbps 的 2 倍。另外，DDR5 的工作電壓為 1.1 V，這比 DDR4 的 1.2 V 降低了 9%。而且，DDR5 的最大容量為 64 Gb，這部分則是 DDR4 產品的 4 倍。而因為其性能突出，使得 DDR5 產品即便稍高於 DDR4，但因為世代交易的市場需求下，仍有空間為記憶體廠帶來獲利，這也是預期全球記憶體產業將迎接新成長週期的主因。
報導強調，根據市場研究及調查單位 TrendForce 預測，DDR5 在 PC DRAM 市場中的市占率，將從 2020 年的不到 1%，成長到 2021 年的 10%，足足是 10 倍以上的成長。甚至， DDR5 產品在伺服器的 DRAM 市場中，其市佔率也將從 2020 年的 4%，提升到 2021 年的 15%。因此，在市場成長快速的情況下，全球三大記憶體廠都開始準備搶攻商機。其中，南韓 SK 海力士已經在 2020 年的 10 月 6 日首次公開發表 DDR5 DRAM，而競爭對手三星則是預計自 2021 年開始量產第 4 代 10 奈米級的 DDR5 和 LPDDR5。至於，美商記憶體大廠美光則是在 2020 年初宣布，已經開始向客戶出樣最新 DDR5 記憶體，以第 3 代 10 奈米級 1z 奈米製程打造，性能提升 85%。
而除了 DDR5 的 DRAM 競爭之外，記憶體廠商也在 NAND Flash 快閃記憶體的發展上鄉務角力。其中，美光在 2020 年 11 月宣布，已經開始量產全球首批 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體。美光指出，新的 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體在讀寫方面的性能就提高了 35% 以上，而且與同類最佳競爭對手相較，其尺寸更減少了 30%。而繼美光之後，SK 海力士也在 2020 年 12 月 7 日宣布已經完成 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體的開發。SK 海力士強調，隨著新產品的生產率提高 35% 以上，則 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體將能增加其市場價格競爭力。至於，三星方面則是計畫 2021 年發布第 7 代 V-NAND 快閃記憶體。理論上，第 7 代 V-NAND 快閃記憶體最多可以達到 256 層堆疊的能力。
報導進一步指出，受惠於 2020 年 10 月，自處理器大廠英特爾收購 NAND Flash 快閃記憶體業務，使得 SK 海力士其在全球 NAND Flash 快閃記憶體市場的市占率擴大至 23% 上下。TrendForce 表示，截至 2020 年第 3 季為止，三星電子以 31.4% 的市占率在全球 NAND Flash 快閃記憶體市場中排名第一，鎧俠則以 17.2% 位居第 2，威騰電子的市佔率則為 15.5%，位居第 3，英特爾及 SK 海力士則各以 11.5% 的市占共同排名第 4。
報導進一步強調，業界預期，NAND Flash 快閃記憶體市場的成長將比 DRAM 市場更快，原因在於智慧型手機向 5G 發展，以及資料中心的伺服器對 SSD 的需求所造成，這使得 NAND Flash 快閃記憶體市場到 2024 前將以每年 30% 到 35% 的速度增長，相較於而 DRAM 的年平均成長率為 15% 到 20% 而言，NAND Flash 快閃記憶體市場的成長速度快很多，也使得炒商更加注重 NAND Flash 快閃記憶體市場的發展。
（首圖來源:三星電子官網）
