根據記憶體大廠南亞科的最新重大訊息公告指出，南亞科董事會於 6 日決議，將追加新台幣 65.6 億元的資本支出預算，用以打造 10 奈米級製程產線。先前南亞科的董事會決議，在年度資本支出的部分，南亞科 2020 年度資本支出預算以不超過新台幣 92 億元為上限，其中包含 10 奈米級製程研發、試產及 20 奈米遞延等資本支出等。如今再加入新的資本支出預算，預計 2020 年度的資本支出預算交以不超過 157.6 億元為上限。

事實上，南亞科總經理李培瑛在上一季法說會上就已經宣布，南亞科已完成自主研發 10 奈米級 DRAM 生產技術，並且將在 2020 年下半年試產。而南亞科新成功開發出的 10 奈米級 DRAM 生產技術，預計將使 DRAM 產品可持續微縮至少 3 個時代。而第一代的 10 奈米級產品包括 8GB DDR4、LPDDR4 及 DDR5 將建構在自主製程技術及產品技術平台上，並預計 2020 下半年進入產品試產階段。

至於，第二代 10 奈米級製程技術已開始進入研發階段，預計 2022 年前導入試產，之後將會再開發第三代的 10 奈米製程技術。李培瑛強調，南亞科進入 10 奈米級製程之後，會以自行研發的技術為主，降低授權費用支出，以大幅提升效能。

目前以全球 DRAM 記憶體市場來說，其主要生產技術掌握在南韓三星、SK海 力士以及美商美光等 3 家企業的手中，而且 3 家廠商的合計市場占有率高達 95% 以上，其關鍵原因就在於 3 家企業的技術專利形成了極高的門檻，使其他公司不容易有機會進入市場。

而當前南亞科現在以 20 奈米級的技術為主力，技術來源為過去的合作夥伴美光，而且每年也支付美光相關技術授權費用。而隨著南亞科導入自主的 10 奈米級製程技術之後，則未來將不再大幅度仰賴美光授權，使得高昂授權費支付的情況也可以減少，有利於南亞科往後的營運發展。

(首圖來源:科技新報攝)